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氮化鋁陶瓷已成為新一代大規模集成電路、半導體模塊及大功率器件的理想的散熱和封裝材料，大量應用于HBLED、UVLED封裝、大功率集成電路、功率模塊、RF射頻/微波通訊、汽車電子、微電子半導體、影像傳輸等領域。
| 氮化鋁（AlN）是共價鍵化合物，原子晶體，屬類金剛石氮化物、六方晶系，纖鋅礦型的晶體結構，無毒，呈白色或灰白色，理論密度3.26g/cm3。 | |
| 氮化鋁材料具有如下特性： |  |
| (1)高熱導率 (理論值約320W/m·K)； (2)高絕緣性； (3)低熱膨脹系數(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配； (4)電性能優良(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)； (5)機械性能好； (6)耐腐蝕性好； (7)光傳輸特性好； | |
| 氮化鋁陶瓷已成為新一代大規模集成電路、半導體模塊及大功率器件的理想的散熱和封裝材料，大量應用于HBLED、UVLED封裝、大功率集成電路、功率模塊、RF射頻/微波通訊、汽車電子、微電子半導體、影像傳輸等領域。 | |
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