粉體行業在線展覽
二硒化鉬晶體-MoSe2
面議
上海研倍
二硒化鉬晶體-MoSe2
652
產品技術參數:
產品名稱 | 二硒化鉬晶體-MoSe2e |
貨號 | RDB-DJ-006 |
性質 | 半導體晶體 |
帶隙 | 單層MoSe2帶隙約1.55eV |
參數 | 尺寸:~5 mm-8 mm 顏色 : 銀灰色 |
應用 | 半導體電子器件,光學器件等研究 |
產品規格:
面積尺寸>25 mm2(1-3 塊/包裝
面積尺寸>35 mm2
面積尺寸>50 mm2
SnSe晶體的照片:
截面SEM:
XRD: Raman:
RDB-FM-W2B5
RDB-FM-EuB6
RDB-FM-YbB6
RDB-FM-YB6
RDB-FM-SmB6
RDB-FM-NdB6
RDB-FM-ScB6
RDB-FM-GdB6
RDB-FM-Bi2S3
RDB-FM-SeS2
RDB-FM-Ti
RDB-FM-Hf