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瞬態(tài)表面光電壓譜儀(TPV)

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    優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

    表面光電壓是固體表面的光生伏特效應(yīng),是光致電子躍遷的結(jié)果。

    1876年,W.GAdam就發(fā)現(xiàn)了這一光致電子躍遷現(xiàn)象;

    1948年才將這一光生伏特效應(yīng)作為光譜檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)和表面特性研究上,這種光譜技術(shù)稱為表面電壓技術(shù)(Surface Photovoltaic Technique,簡(jiǎn)稱SPV)或表面光電壓譜(Surface Photovoltaic Spectroscopy,簡(jiǎn)稱SPS)。表面光電壓技術(shù)是一種研究半導(dǎo)體特征參數(shù)的**途徑,這種方法是通過對(duì)材料光致表面電壓的改變進(jìn)行分析來獲得相關(guān)信息的。

    1970年,表面光伏研究獲得重大突破,美國(guó)麻省理工學(xué)院Gates教授的研究小組在用低于禁帶寬度能量的光照射CdS表面時(shí),歷史性的**次獲得入射光波長(zhǎng)與表面光電壓的譜圖,以此來確定表面態(tài)的能級(jí),從而形成了表面光電壓這一新的研究測(cè)試手段。

    SPV技術(shù)是*靈敏的固體表面性質(zhì)研究的方法之一,其特點(diǎn)是操作簡(jiǎn)單、再現(xiàn)性好、不污染樣品,不破壞樣品形貌,因而被廣泛應(yīng)用于解析光電材料光生電荷行為的研究中。

    SPV技術(shù)所檢測(cè)的信息主要是樣品表層(一般為幾十納米)的性質(zhì),因此不受基底或本體的影響,這對(duì)光敏表面的性質(zhì)及界面電子轉(zhuǎn)移過程的研究顯然很重要。由于表面電壓技術(shù)的原理是基于檢測(cè)由入射光誘導(dǎo)的表面電荷的變化,其檢測(cè)靈敏度很高,而借助場(chǎng)誘導(dǎo)表面光電壓譜技術(shù)可以用來測(cè)定半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型(特別是有機(jī)半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型)、半導(dǎo)體表面參數(shù),研究納米晶體材料的光電特性,了解半導(dǎo)體光激發(fā)電荷分離和電荷轉(zhuǎn)移過程,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的譜帶解釋,并為研究符合體系的光敏過程和光致界面電荷轉(zhuǎn)移過程提供可行性方法。

    半導(dǎo)體激光器從某一穩(wěn)定工作狀態(tài)過渡到另一穩(wěn)定工作狀態(tài)的過程中所出現(xiàn)的瞬態(tài)現(xiàn)象,或?qū)﹄A躍電流的響應(yīng)。主要有激射延遲、張弛振蕩和自脈動(dòng)。這些現(xiàn)象限制著半導(dǎo)體激光器振幅調(diào)制或頻率調(diào)制的性能,特別是**調(diào)制速率。

    瞬態(tài)表面光電壓譜給出了不同樣品光生電荷分離的動(dòng)力學(xué)信息, 正向光伏信號(hào)代表光生電子由表面向內(nèi)部轉(zhuǎn)移。 通常半導(dǎo)體材料的瞬態(tài)光伏分為漂移和擴(kuò)散過程,分別對(duì)應(yīng)短時(shí)間范圍和長(zhǎng)時(shí)間范圍的光伏信號(hào)。

    產(chǎn)品應(yīng)用

    光生載流子動(dòng)力學(xué)主要測(cè)試技術(shù),載流子動(dòng)力學(xué)測(cè)試技術(shù)主要有電學(xué)和譜學(xué)兩類.電學(xué)方法主要是光電化學(xué),測(cè)量方式又分時(shí)間域和頻率域.時(shí)間域方法主要有瞬態(tài)光電壓(TPV)和瞬態(tài)光電流(TPC),頻率域方法主要有電化學(xué)阻抗譜(EIS)和光強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜(IPVS)和光強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS)等.譜學(xué)方法主要是瞬態(tài)吸收光譜和瞬態(tài)熒光光譜。這里主要介紹時(shí)間域的光電化學(xué)測(cè)量方法(以TPV為例)。瞬態(tài)吸收光譜是研究半導(dǎo)體光生載流子動(dòng)力學(xué)過程和反應(yīng)歷程的強(qiáng)有力手段之一,它可以獲得半導(dǎo)體體內(nèi)光生載流子產(chǎn)生、俘獲、復(fù)合、分離過程的重要微觀信息。

    半導(dǎo)體激光器從某一穩(wěn)定工作狀態(tài)過渡到另一穩(wěn)定工作狀態(tài)的過程中所出現(xiàn)的瞬態(tài)現(xiàn)象,或?qū)﹄A躍電流的響應(yīng)。主要有激射延遲、張弛振蕩和自脈動(dòng)。這些現(xiàn)象限制著半導(dǎo)體激光器振幅調(diào)制或頻率調(diào)制的性能,特別是**調(diào)制速率。

    瞬態(tài)表面光電壓譜給出了不同樣品光生電荷分離的動(dòng)力學(xué)信息, 正向光伏信號(hào)代表光生電子由表面向內(nèi)部轉(zhuǎn)移。通常半導(dǎo)體材料的瞬態(tài)光伏分為漂移和擴(kuò)散過程,分別對(duì)應(yīng)短時(shí)間范圍和長(zhǎng)時(shí)間范圍的光伏信號(hào)。

    詳細(xì)介紹

    瞬態(tài)表面光電壓實(shí)驗(yàn)光源為激光器, 激光脈沖半寬為5 ns, 激光波長(zhǎng)為355 nm. 脈沖激光經(jīng)棱鏡分光后被分別射入光電倍增管和樣品池中,激光強(qiáng)度通過漸變圓形中性濾光片進(jìn)行調(diào)節(jié). 光電倍增管記錄參比信號(hào), 樣品信號(hào)經(jīng)放大器(100 MΩ的輸入阻抗, 1 kΩ輸出阻抗的放大器)放大進(jìn)入500MHz 的數(shù)字示波器(Tektronix)進(jìn)行記錄。 樣品池由具有良好屏蔽電磁噪音的材料制成。樣品池內(nèi)部結(jié)構(gòu)由上至下分別為: 鉑網(wǎng)電極(直徑為5 mm, 透光率為70%), 云母(厚度約10 μm), 被測(cè)樣品, FTO電極。

    瞬態(tài)光電壓研究光生電子的傳輸行為,其光電壓響應(yīng)包括上升和衰退兩部分,光電壓上升部分在物理上對(duì)應(yīng)于Ti O?電極導(dǎo)電基底電子濃度增加(類似于電容充電過程),此過程由光生電子擴(kuò)散到達(dá)基底引起,光電壓下降部分主要對(duì)應(yīng)于電子離開導(dǎo)電基底的復(fù)合過程(類似于電容放電過程)。

    規(guī)格參數(shù)

    1) 瞬態(tài)表面光電壓譜光生載流子動(dòng)力學(xué);瞬態(tài)光電壓研究光生電子的傳輸行為;

    2)可分析樣品為催化劑粉末材料,采用三明治結(jié)構(gòu)樣品池

    3) ※可分析樣品為光電器件,在溶液狀態(tài)下分析TPV信號(hào),測(cè)試樣品的表面光電壓信號(hào)和電子擴(kuò)散長(zhǎng)度;

    4)※Nd:YAG激光器:脈沖寬度:8ns @1064 nm, 7ns@532 nm, 6nm@355 nm,6nm@266 nm;光斑尺寸:7 mm; 激光輸出能量:200 mJ@1064 nm, 100 mJ@532 nm, 40 mJ@355 nm,20mJ@266 nm;頻率1~20Hz;穩(wěn)定性<3%,RMS<1ns;

    5)前置放大器,2通道,DC~350MHZ帶寬,升降時(shí)間1ns,噪音6.4nv/HZ;

    6)數(shù)字熒光示波器,500 MHz 帶寬,2 條模擬通道,所有通道上實(shí)時(shí)采樣率高達(dá) 5 GS/s,所有通道記 10k 記錄長(zhǎng)度,3,600 wfms/s 連續(xù)波形捕獲速率,高級(jí)觸發(fā)套件,前面板 USB 主機(jī)端口,可以簡(jiǎn)便地存儲(chǔ)和傳送測(cè)量數(shù)據(jù)25 種自動(dòng)測(cè)量標(biāo)配 FFT,多語(yǔ)言用戶界面,自動(dòng)檢測(cè)異常波形, 接口支持有源探頭、差分探頭和電流探頭,自動(dòng)定標(biāo)和確定單位,配備 USB 主控端口,可以輕松將測(cè)量信息存儲(chǔ)和傳輸?shù)絺€(gè)人計(jì)算機(jī)中,個(gè)人計(jì)算機(jī)通信軟件使您能夠輕松將屏幕圖像和波形數(shù)據(jù)拖入獨(dú)立桌面應(yīng)用程序或直接拖入 Microsoft Word 和 Excel。

    7)※光功率計(jì),測(cè)試波長(zhǎng)范圍190-11000nm,功率范圍0-2000mw,四擋量程自動(dòng)分辨,可切換光功率密度,配合軟件實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集,軟件還內(nèi)置了量子效率計(jì)算功能,可以根據(jù)參數(shù)自動(dòng)計(jì)算出光源強(qiáng)度和產(chǎn)氫效率,計(jì)算輸出:光催化反應(yīng)產(chǎn)氫速率mol/s ,入射光子數(shù),平均產(chǎn)氫量子產(chǎn)率百分比,平均光-氫能量轉(zhuǎn)化效率百分比。

    8)配置不銹鋼粉末樣品池,石英溶液樣品池各一套,分別用于粉末樣品和器件樣品分析。

    9)所有光路均置于封閉暗箱內(nèi),無(wú)外屆光源影響分析測(cè)試,內(nèi)部配有導(dǎo)軌、反射鏡、精密升降臺(tái)平臺(tái),可以實(shí)現(xiàn)水平光路,也可以實(shí)現(xiàn)垂直光路。

    10)系統(tǒng)包含光學(xué)平臺(tái)(900*1200mm)、暗箱、品牌電腦、控制及數(shù)據(jù)采集軟件。

    11)※專用瞬態(tài)定制軟件,專用的硬件、軟件降噪算法,實(shí)時(shí)采集并分析數(shù)據(jù)出譜圖,分別完成粉末樣品和溶液樣品的分析。

    12)安裝、調(diào)試及技術(shù)培訓(xùn),培訓(xùn)內(nèi)容包括儀器的技術(shù)原理、操作、數(shù)據(jù)處理、基本維護(hù)等。

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瞬態(tài)表面光電壓譜儀(TPV)

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