粉體行業在線展覽
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Sapphire
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江陰皓睿光電新材料有限公司
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Sapphire
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在1992年日本工程師中村修二劃時代地利用藍寶石基板制備了GaN外延層并順利實現藍光LED制作之后，藍綠光LED實現了井噴式的大爆發，藍寶石晶體化學成分為氧化鋁，晶體結構為六方晶格，其具有超高的硬度，在高溫下物理、化學性質穩定，光學性能優秀，逐漸成為藍綠光LED的主流選擇。
常規的氮化鎵（GaN）是在藍寶石的極性面C面<0001>上生長的。C面藍寶石存在較強的極化效應，AlGaN/GaN異質結界面因極化效應而產生高密度和高遷移率二維電子氣（2-DEG），這有利于GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）的性能，但這種極化效應對光電器件卻危害較大：極化引起的內建電場使能帶彎曲、傾斜，能級位發生變化，強大的極化電場使正負載流子在空間上分離，電子與空穴波函數的交迭變小，材料的發光效率大大降低，發光波長也會出現紅移現象。
在A<11-20>，M<1-100>，R<1-102>面藍寶石襯底上生長得到的GaN分別為極性<0001>，半極性<1122>和非極性<1120>取向的晶體，半極性、無極性氮化鎵材料在LED器件droop效應、波長偏移和長波長波段效率等方面有不錯的表現，但結晶質量較差，位錯密度很高。研究表明，通過高溫AlN成核層和較高的AlGaN生長溫度，或使用Al組分逐次降低的多層AlGaN作為緩沖層能夠有效地改善半極性AlGaN材料的晶體質量，另外Si 摻雜能夠有效地改善分別在A面和M面藍寶石襯底上生長的極性和半極性AlGaN薄膜的晶體質量。
常用規格：
C面藍寶石襯底 | A面藍寶石襯底 | R面藍寶石襯底 | M面藍寶石襯底
C面斜切角度 藍寶石襯底
尺寸：2英寸直徑50.8mm厚度0.43mm | 4英寸直徑100mm厚度0.65mm | 6英寸直徑150mm厚度1.0mm
拋光：單面拋光 | 雙面拋光
粗糙度 Ra：<0.3nm（CMP）
全平面厚度差 TTV：<10um
熱點應用：藍寶石鍵合片 用于砷化鎵晶圓的減薄、拋光工藝
傳統砷化鎵晶圓減薄工藝由于設備施加重量和壓強，減薄過程中易造成晶圓碎裂，或表面應力累計形成卷曲，產品性能嚴重損失，減薄用金屬磨盤易產生金屬污染，晶圓粘附劑、化學磨削液易引入污染。
新的減薄工藝在高溫條件下將藍寶石晶片（直徑略大于目標晶圓）作為載片與砷化鎵晶圓鍵合，將砷化鎵/藍寶石鍵合片粘附于陶瓷磨盤，通過特制夾具對其進行減薄、拋光處理，完成后置于高溫洗劑中融化，使藍寶石和砷化鎵晶圓分離。
新的減薄工藝可用于包括砷化鎵及各種半導體晶圓的減薄加工，載片材質可選擇藍寶石、玻璃等拋光晶片，藍寶石因其優越的物理化學性質及晶體結構，目前是主流的載片選擇，我司推出的藍寶石載片，尺寸匹配行業標準減薄設備要求，4英寸采用直徑104mm，6英寸采用直徑156mm或159mm，略大于標準4英寸、6英寸晶圓，拋光面粗糙度Ra<0.5nm，超高的平整度的藍寶石載片可以更好的控制半導體晶圓的減薄精度，減薄加工時不宜碎裂。
藍寶石（直徑略大于目標晶圓）作為載片與砷化鎵晶圓鍵合 鍵合片粘附于陶瓷磨盤
常用藍寶石載片規格：
4英寸藍寶石鍵合片（雙面拋光）
直徑：直徑104mm
粗糙度 Ra：<0.5nm（雙面CMP拋光）
全平面厚度差 TTV：<5um
6英寸藍寶石鍵合片（雙面拋光）
直徑：直徑156mm/159mm
粗糙度 Ra：<0.5nm（雙面CMP拋光）
全平面厚度差 TTV：<5um/<1um
