粉體行業在線展覽
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4英寸3C N型碳化硅襯底
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杭州華創晶瑞科技有限公司
江蘇
面議
華創晶瑞
4英寸3C N型碳化硅襯底
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液相法襯底產品介紹
3C N型SiC具有更高的電子遷移率（3C-SiC，1100 cm2/V?s；4H-SiC，900 cm2/V?s），同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度，可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性，能大幅度提高器件產品良率。
主要指標
晶型：3C
尺寸：50.8±0.38 mm 2英寸、4英寸、6英寸
非標尺寸：10*10mm,20*20mm,其它按需定制。
厚度：350±25μm
微管密度：＜0.1 cm-2
電阻率≤0.0006 Ω?cm
4英寸導電型碳化硅襯底
6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
碳化硅晶錠晶棒
8英寸導電型碳化硅襯底
2英寸導電型碳化硅襯底
4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底
4~8英寸碳化硅外延
氮化鎵襯底 外延
4英寸3C N型碳化硅襯底
7N 碳化硅粉料
碳化硅MOS SBD晶圓
2~6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底
