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1. 霍爾元件材料-砷化鎵外延片 (Hall Components – GaAs Epi Wafer)：砷化鎵具有高頻，高溫，噪聲小，低溫性能好，抗輻射能力強等特點。因而，基于砷化鎵材料制造的霍爾元件具有更高的穩(wěn)定性和可靠性.   2. 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管AlGaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs外延片 (HBT AlGaAs, InGaP/GaAs, InP/InGaAs Epitaxial Wafer)： AlGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)外延片具有良好的晶格匹配，容易實現(xiàn)微波與光電器件及其IC； InP/InGaAs異質(zhì)結(jié)外延片的晶格能匹配，其中InGaAs具有很高的電子遷移率； InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)外延片不易氧化，具有較大的價帶不連續(xù)性和較小的導(dǎo)帶不連續(xù)性，是RF電路設(shè)計的**。   3. GaAs、InP基雪崩光電二極管外延片 (APD Epiatxial Wafer)： InGaAs/InP APD外延材料易于生長，具有高量子效率和低暗電流。因而與普通光電二極管相比，基于GaAs/InP外延結(jié)構(gòu)的雪崩光電二極管具有靈敏度高，電流增益大以及頻率響應(yīng)快等特點。   4. 贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管砷化鎵外延片(pHEMT GaAs Epitaxy)：基于GaAs 外延材料的贗配高電子遷移率晶體管 ( PHEMT) 因其高電子遷移率、高電流調(diào)制效率、低損耗等優(yōu)異性能，廣泛應(yīng)用于微波和毫米波等頻段。   5. 635nm~2004nm激光GaAs外延片 (635nm~2004nm Laser Diode Epi Wafer)： GaAs基激光二極管外延片通過MOCVD反應(yīng)器生長，用于光纖通信、工業(yè)應(yīng)用、VCSEL、紅外及光電探測器等各個領(lǐng)域