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PECVD管式爐，等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積管式爐

PECVD 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是為了降低傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)溫度。在傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積前面安裝射頻感應(yīng)裝置，電離反應(yīng)氣體，產(chǎn)生等離子體。等離子體的高活性是由于等離子體的高活性加速了反應(yīng)的進(jìn)行。這個(gè)系統(tǒng)叫做 PECVD。

該型號(hào)是博納熱**產(chǎn)品，綜合了大多數(shù) PECVD 爐系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)，在 PECVD 爐系統(tǒng)前增加了預(yù)熱區(qū)。試驗(yàn)表明，沉積速度快，膜層質(zhì)量好，孔洞少，不開裂。配備AISO 全自動(dòng)智能控制系統(tǒng)，操作方便，功能強(qiáng)大。

PECVD 爐的應(yīng)用范圍很廣: 金屬膜、陶瓷膜、復(fù)合膜、各種膜的連續(xù)生長(zhǎng)。易增加功能，可擴(kuò)展等離子清洗蝕刻等功能。

PECVD管式爐特點(diǎn)

• 高薄膜沉積速率: 采用射頻輝光技術(shù)，大大提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達(dá)1000s.

• 高面積均勻性: 先進(jìn)的多點(diǎn)射頻送料技術(shù)、特殊氣路分布、加熱技術(shù)等，使薄膜均勻性指數(shù)達(dá)到8%.

• 高濃度: 使用先進(jìn)的設(shè)計(jì)概念的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，一個(gè)沉積基板之間的偏差小于2%.

• 高過程穩(wěn)定性: 高度穩(wěn)定的設(shè)備確保了連續(xù)和穩(wěn)定的過程。

PECVD管式爐標(biāo)準(zhǔn)配件

• 插管4支

• 爐管1根

• 真空泵1件

• 真空密封法蘭2套

• 真空計(jì)1件

• 氣體輸送和真空泵

• 射頻等離子體設(shè)備

可選配件

• 快卸法蘭，三通法蘭

• 7英寸高清觸摸屏

PECVD管式爐圖片 

PECVD管式爐技術(shù)規(guī)格