粉體行業在線展覽
腔體合成爐
面議
中科漢達
腔體合成爐
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適用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶體生長,采用中頻感應電源加熱方式,上取放料、坩堝軸快慢速移動。
技術參數 | |
生長工藝 | PVT |
生長尺寸 | 6-8英寸 |
產品類型 | 非標定制 |
加熱方式 | 感應加熱(中頻感應加熱) |
**溫度 | 2400℃ |
系統停泵關機12小時后真空度 | ≤5Pa |
控制方式 | PLC集成控制 |
系統極限真空度 | ≤7×10-5 Pa (經烘烤除氣后) |
系統真空檢漏漏率 | ≤5.0×10-7 Pa.l/S |
冷卻方式 | 循環水路系統 |
適用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶體生長,采用中頻感應電源加熱方式,上取放料、坩堝軸快慢速移動。內壁氬弧焊接,內表面鏡面拋光,反射熱量,減少功率損耗,減少氣體附著。自主研發控制系統,實現自動化穩定、安全、操作便捷。適用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶體生長,采用中頻感應電源加熱方式,上取放料、坩堝軸快慢速移動。內壁氬弧焊接,內表面鏡面拋光,反射熱量,減少功率損耗,減少氣體附著。自主研發控制系統,實現自動化穩定、安全、操作便捷。