亚洲a级网站_国产女极品在线观看AV_9色视频在线观看_欧美一区日本一区韩国一区_三级高清自拍少妇_国一区二区

粵升設(shè)備融合二十余年的SiC晶體工藝經(jīng)驗(yàn)打造，給您提供高質(zhì)量，低成本的SiC單晶。

設(shè)備名稱:液相法SiC單晶爐

規(guī)格參數(shù)

設(shè)備型號:YS-C08S01

設(shè)備尺寸:L1800xW1400xH3750mm

適用工藝:LPE法(兼容PVT法)

長晶尺寸:6吋兼容8吋

籽晶/坩堝升降行程:200mm

籽晶/坩堝旋轉(zhuǎn)速度范圍:0-180rpm

**加熱溫度:800~2200℃C

設(shè)備特點(diǎn)

·液相法SiC長晶特點(diǎn)

·生長的晶體質(zhì)量高，缺陷少，沒有微管類缺陷，晶體應(yīng)力低，

·可生長n型、p型SiC單晶晶錠，也可生長3C-SiC

·生長過程對溫場影響小，工藝穩(wěn)定性好

·不需預(yù)合成SiC粉原料，生長成本低

·生長溫度低，能耗低。