粉體行業在線展覽
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一代高集成射頻前端芯片 S5643-66
直接聯系
廣州慧智微電子股份有限公司
廣東
面議
慧智微
一代高集成射頻前端芯片 S5643-66
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慧智微公司專注于可重構射頻前端架構，采用基于“絕緣硅（SOI）+砷化鎵（GaAs）”兩種材料體系的混合架構射頻前端技術路線，并實現技術突破及規模商用，使射頻前端器件可以通過軟件配置實現不同頻段、模式、制式和場景下的復用，取得性能、成本、尺寸多方面優化，幫助全球客戶化繁為簡，與時俱進。
集成高性能PA，支持APT性能優化
所有頻段支持29dBm線性功率輸出
支持B41 HPUE
支持MIPI RFFE V2.1控制協議
一代高集成射頻前端芯片 S5643-66
一代高集成射頻前端芯片 S5643-62
一代高集成射頻前端芯片 S55643-22
一代高集成射頻前端芯片 S55643-52
一代高集成射頻前端芯片 S55643-31
高集成射頻前端模組芯片 S55055-11
高集成射頻前端模組芯片 S55043-11
一代高集成射頻前端芯片 S15727-11
高集成射頻前端芯片 S55217-11
S55217-31
