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隨著半導體芯片工藝技術的發展，工藝技術節點進入28納米以及14nm等更先進等級，隨著工藝流程的延長以及越趨復雜，每個晶片在整個制造過程中需要超過200道清洗步驟， 晶圓清洗變得更加復雜、重要以及富有挑戰性； 清洗設備以及工藝也必須推陳出新，使用新的戶物理及化學原理，在滿足使用者的工藝需求條件下，也兼顧降低晶圓清洗成本和兼顧環境保護；

• 減少材料損傷（material loss）； 

• 孔洞的清洗能力；

• 防止晶片結構損傷（pattern damage）；

• 金屬、材料及微粒子的交叉污染 ；

• 晶圓可靠性改善；

單片濕法設備的工藝應用

• 去膠及去膠后清洗

• 爐管及長膜前清洗

• 氧化層/氮化硅蝕刻

• 銅/鈦金屬蝕刻

• 聚合物去除

• 擦片清洗

• 化學機械研磨后清洗

單片清洗的亮點 

• 可以提供完整的濕法工藝解決方案，及前瞻的技術規劃。

• 設備及工藝已經通過國際一線大廠的驗證。

• 設備平臺及腔體設計種類多，可滿足客戶不同條件。

• 多層式結構腔體設計，化學品回收率**可以達到95%以上。

• 自動清洗功能（腔體、排風口、 化學品噴嘴及手臂），可避免交叉污染及減少微粒子。 

• 先進的自動工藝控制功能（片/批次），可以改善產品的均勻性。

• 可靠的視覺辨識功能，能立即偵測設備異常，預防產品異常。

• IPA 干燥功能，可以減少微粒子及水痕。

ULTRON S2XX/S3XX

設備平臺: ULTRON S-Series

晶圓尺寸: 200mm/300mm， 

相關技術: 全自動旋轉式濕法清洗適用制程: 晶體管, 連接體, 圖形化, 先進內存, 封裝