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光致發光(photoluminescence)即PL，是用紫外、可見或紅外輻射激發發光材料而產生的發光，

在半導體材料的發光特性測量應用中通常是用激光（波長如325nm、532nm、785nm等）

激發材料（如GaN、ZnO、GaAs等）產生熒光，通過對其熒光光譜（即PL譜）的測量，

分析該材料的光學特性，如禁帶寬度等。光致發光可以提供有關材料的結構、

成分及環境原子排列的信息，是一種非破壞性的、高靈敏度的分析方法，

因而在物理學、材料科學、化學及分子生物學等相關領域被廣泛應用。

傳統的熒光光譜儀一般采用透鏡收光的方式，針對發光非常微弱的納米材料，

即便用激光器激發，也很難獲得較好的信號。結合多年的實際測樣經驗，

良允科儀推出了顯微PL系統，采用顯微物鏡收光，

較傳統的熒光光譜儀其收光效率提升了至少3個數量級，

因此特別適用于傳統熒光系統難以檢測到的微弱信號，

另外其輔助的白光成像功能，還可以實現微區（微米級）定位測量。 

應用領域：

·  半導體材料

·  納米材料

·  薄膜材料

·  光波導器件

·  LD, LED外延片

產品特點：

·  光譜范圍：200-1700nm

·  光斑大小：≤10μm（325nm激光、100X物鏡）

·  光譜分辨率：優于0.1nm

·  白光成像分辨率：亞微米級

·  激光器：266nm、325nm、360nm、405nm、488nm、510nm、532nm、633nm、

785nm等可選

·  樣品臺：手動/電動可選

·  采譜模式：單點掃描/線掃描可選

系統功能：

·  微區PL測量

·  可同時配置多路激光器

·  自由光路耦合，保障高的通光效率

·  顯微光路設計，保障高的激發、收集效率

·  高精度位移臺，實現微米級定位測量

擴展功能：

·  微區電致發光（EL）測量

·  熒光壽命測量：ps-ms量級

·  自動Mapping功能：50mm×50mm行程，步進精度1μm

·  光電流譜（成像）測量

·  光電材料響應度測試

·  變溫附件：77K-600℃/4K、10K超低溫

實測案例：

樣品（粉末）：8%Ag2S/SnS2-ND

激發光源：405nm激光器，積分時間：0.5s；