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MiniLED光電特性測試

MiniLED芯片在被封裝前后，需要經過檢測工序，以剔除其中的不合格品。其中，光電性能檢測是非常重要的指標參數。光電性能檢測是指對晶圓上的芯片，或者封裝后的成品，對其電壓(V)、電流（I），V_FD，波長(WD)、亮度(LOP)、抗靜電能力(ESD)，等光電性性能逐一進行測試，得到實際數值，進而為后續加工生產提供可靠的產品實際性能信息。由于Mini   LED具有尺寸小，使用數量大等特性，因此，其光電特性測試也提出了新的要求。

高精度微弱電流

由于MiniLED本身的特性，正向點亮測試時，輸入電流較小，一般在mA，甚至uA級；反向高壓漏電流測試，電流甚至低至nA級。精確穩定地輸出與測量電流，是獲取準確測試結果數據的先決條件。

高效率

MiniLED生產工藝效率要求高，預留給芯片的電性能測試時間，一般控制在十幾ms以內。高效快速的輸出與檢測電壓、電流，是提升生產效率的重要保證。

廣泛兼容性

Mini   LED測試，往往需采用自動化設備來進行，且測試項目包含電壓，電流等電特性參數，以及光譜，光功率等光性能參數。廣泛的軟硬件兼容性，有助于終端用戶，根據實際測試要求，選配不同測試儀器，以及自動化設備。

利用數字源表進行Mini LED光電特性測試

實施MiniLED光電特性參數分析的Z佳工具之一是數字源表（SMU）。數字源表作為獨立的恒壓源或恒流源，輸出恒壓或恒流、還可以當作表，進行電壓或者電流測量；支持Trig觸發，可實現與光譜儀，探針臺，分選機等第三方設備聯動工作。

目前，光電性能檢測是通過Mini   LED點測機實現的，用于測量晶圓上每一顆芯片。點測機的主要結構單元包括探針臺，電性能測試單元，光性能測試單元，以及上位機控制系統等。該工序根據實際情況，位于晶圓劃片前，或者后工序。設備基本構成主要包括探針臺，電子顯微鏡，SMU，ESD，工控機，積分球，光譜儀等。其中，SMU的作用是對芯片進行IV特性測試，同時在光學測試中，對芯片進行供電。

常用的電性能測試項目包括，V_F1,V_F2,I_R,V_Z,V_FD,D_VF等。

⑴ V_F（正向電壓）測試， FIMV： 一般會測兩個點， D一個點V_F1為 LED剛點亮時電壓， 第二個點V_F2為LED 正常工作時的電壓；
⑵ V_Z（反向擊穿電壓）測試， FIMV：一定反向電流時，器件兩端的電壓;
⑶ I_R（反向泄露電流）測試， FVMI： 一定反向電壓時， 流過器件的電流；
⑸ D_VF 測試，材料熱縮效應測試， FIMV： 對LED施加兩次不同的電流，并計算不同條件下的電壓差；
⑹ V_FD 測試，正向電壓暫態峰值電壓測試， FIMV： 對LED施加一定的正向電流，同時采集電壓變化，   尖峰電壓與正常電壓的差值即為V_FD；                                          

miniled光電特性測試數字源表認準生產廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；武漢普賽斯一直專注于半導體，LED，激光器的光電性能測試儀表開發，基于核心算法和系統繼承等技術平臺優勢，S先自主研發了高精度數字源表、脈沖式源表、窄脈沖源表、集成插卡式源表，Mini LED源表測試系統等產品，廣泛應用在半導體，LED，激光器等產品的生產、研發、測試場景。可夠根據用戶的需求提供高性能，高效率，高性價比的半導體，LED，激光器測試系統級解決方案。miniled光電特性測試數字源表認準生產廠家武漢普賽斯儀表