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PHI ADEPT 1010

簡介

動態二次離子質譜儀（D-SIMS）是使用一次離子束（通常是Cs源）轟擊樣品表面，而產生二次離子，然后用質譜分析儀分析二次離子的質荷比（m/q），從而得知元素在樣品中的深度分布，是分析半導體摻雜和離子注入的強有力的工具。

優勢

ULVAC-PHI **設計的四極桿-二次離子質譜儀ADPT1010，在原有的PHI6300和PHI6600的基礎上，改善了離子光學系統，是在一次離子能量低至250eV時，仍保持有效的濺射束流的動態二次離子質譜系統（D-SIMS）。

特點

1. 大束流低能量離子槍設計，極大的提高了深度分辨率

2. 高性能離子光學系統，改善了二次離子傳輸效率，在提高分析效率的同時又提高了檢測靈敏度

3. 高精度全自動5軸樣品操控臺

4. 不同方向進入檢測器的二次離子，均可被高靈敏地收集檢測

應用實例分析

采用一次離子源Cs在加速5kV束流為100nA的條件下，分析GaAs中注入的H，C，O元素。可以看到H檢測限值7.1X10¹⁶ atm/cm³，O檢測限值4.4X10¹⁵ atm/cm³，C檢測限值2.0X10¹⁵ atm/cm³。