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GAIA3-model 2016

具有非同尋常的超高分辨率成像和極其精確的納米建模

GAIA3 model 2016是一款可以挑戰(zhàn)納米設(shè)計(jì)應(yīng)用的理想平臺(tái)，它同時(shí)具備**的精度和微量分析的能力。GAIA3 model 2016擅長(zhǎng)的一些應(yīng)用包括制備高質(zhì)量的超薄TEM樣品，在技術(shù)節(jié)點(diǎn)減少層級(jí)的過(guò)程，精確的納米構(gòu)圖或高分辨率的三維重建。

主要特點(diǎn)

TriglavTM-新設(shè)計(jì)的超高分辨（UHR）電子鏡筒配置了TriglavTM物鏡和先進(jìn)的探測(cè)系統(tǒng)

• 以獨(dú)特的方式結(jié)合了三透鏡物鏡和crossover-free模式

• 先進(jìn)的且可隨意變化的探測(cè)系統(tǒng)可用于同步獲取不同的信號(hào)

• 超高的納米分辨率：15keV下0.7nm，1keV下1nm

• 極限超高分辨率：1keV下1nm

• 可變角度的BSE探測(cè)器，**化了低能量下能量反差

• 實(shí)時(shí)電子束追蹤(In-flight Beam TracingTM）實(shí)現(xiàn)了電子束的**化

• 傳統(tǒng)的TESCAN大視野光路（Wide Field OpticalTM）設(shè)計(jì)提供了不同的工作和顯示模式

• 有效減少熱能損耗，**的電子鏡筒的穩(wěn)定性

• 新款的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍現(xiàn)在能實(shí)現(xiàn)電子束電流達(dá)到400nA，且電子束能量可快速的改變

• 為失效分析檢測(cè)過(guò)程中的**技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供了**的解決方案

• 適合精巧的生物樣品成像

• 可觀察磁性樣品

• 優(yōu)化的鏡筒幾何學(xué)配置使得8’’晶元觀察成為可能（SEM觀察和FIB納米加工）

• 獨(dú)有的實(shí)時(shí)三維立體成像，使用了三維電子束技術(shù)

• 友好的，成熟的SW模塊和自動(dòng)化程序

Cobra FIB鏡筒：高性能的Ga FIB鏡筒，實(shí)現(xiàn)超高精度納米建模

• 在刻蝕和成像方面是*頂尖水平的技術(shù)

• Cobra保證在*短時(shí)間內(nèi)完成剖面處理和TEM樣品制備

• FIB**分辨率<2.5nm

• FIB-SEM斷層分析可應(yīng)用于高分辨的三維顯微分析

• 適合生物樣品的三維超微結(jié)構(gòu)研究，例如組織和完整的細(xì)胞

• 低電壓下**的性能，適合于刻蝕超薄樣品和減少非晶層

應(yīng)用 

半導(dǎo)體

• 超細(xì)減薄TEM薄片厚度小于15nm，用于進(jìn)行小于14nm工藝節(jié)點(diǎn)的失效分析

• 通過(guò)平面去層級(jí)化的手段對(duì)三維集成電路板進(jìn)行失效分析

• 三維集成電路板的原型設(shè)計(jì)和電路修改

• 電子束敏感結(jié)構(gòu)材料的成像，如低電子束能量下的晶體管層，光阻材料等

• 用于獨(dú)特三維結(jié)構(gòu)分析的超高分辨FIB-SEM層析成像技術(shù)

• 通過(guò)在亞納米分辨率下的透射電子(STEM)或元素分析(EBX, EBSD)等手段進(jìn)行TEM薄片的原位分析

• 6’’, 8’’及12’’晶片的檢驗(yàn)及分析

• 無(wú)失真的高分辨EBSD

• 集成電路板和薄層測(cè)量下具有開(kāi)創(chuàng)性及精確的原型設(shè)計(jì)，離子束光刻(IBL)以及失效分析

• 通過(guò)結(jié)合FIB技術(shù)及電子束蝕刻(EBL)來(lái)進(jìn)行細(xì)小的特殊結(jié)構(gòu)的刻蝕及鍍膜。

材料科學(xué)

• 非導(dǎo)電材料如陶瓷，高分子及玻璃等的成像

• 納米材料如納米管和納米環(huán)的表征

• 通過(guò)切片分析進(jìn)行金屬及合金的疲勞和裂紋形成分析

• 通過(guò)電子束蝕刻或聚焦離子束誘導(dǎo)沉積的方式進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)如納米盤，觸體和霍爾探針的制造。

• 磁性樣品的成像

• 用于分析磁性材料磁化動(dòng)力學(xué)及其疇壁運(yùn)動(dòng)的自旋電子結(jié)構(gòu)的樣品制備

• 通過(guò)TOF-SIMS分析進(jìn)行同位素及具有類似相當(dāng)質(zhì)量的元素種類的鑒別

• 通過(guò)TOF-SIMS包括三維重構(gòu)進(jìn)行鋰離子電極的貫穿分析

• 通過(guò)元素分布，相分布及晶體取向進(jìn)行高分辨FIB-SEM層析成像的材料表征手段

• 通過(guò)二次離子成像進(jìn)行腐蝕生長(zhǎng)學(xué)的研究

• 特定應(yīng)用下的TEM薄片的樣品制備

生命科學(xué)

• 低電子束能量下生物樣品未鍍膜狀態(tài)的觀察

• 高度集中區(qū)域的高分辨FIB層析成像分析標(biāo)本動(dòng)物嵌入樹(shù)脂或植物組織和細(xì)胞的獨(dú)特三維結(jié)構(gòu)信息

• 動(dòng)物和植物組織的超微結(jié)構(gòu)分析的TEM薄片制備

• 亞納米分辨率下的原位TEM樣品觀察

• TOF-MOS的高分辨表面元素分析

• 細(xì)胞形態(tài)學(xué)的研究，組織工程，微生物學(xué)及生物相容性材料的發(fā)展

• 可變壓力模式及易損樣品的冷凍技術(shù)成像

• 光電聯(lián)用顯微鏡

• 全液體生物樣品的Cry-FIB-SEM分析