型號

4H-N導(dǎo)電型 ∣ 4H-HPSI高純半絕緣型

類型

晶錠與晶棒

晶片

異形規(guī)格

尺寸規(guī)格案例1

4英寸*T10mm晶棒

2英寸*T3.0mm厚片

碳化硅圓環(huán)方塊

尺寸規(guī)格案例2

6英寸*T20mm晶棒

2英寸*T0.1mm超薄

碳化硅眼鏡光學(xué)鏡片

尺寸規(guī)格案例3

8英寸*T20mm晶棒

3英寸*T5.0mm厚片

碳化硅打孔

尺寸規(guī)格案例4

2~8寸晶錠

6英寸*T1.0mm厚片

碳化硅激光切割

尺寸規(guī)格案例5

晶棒拋光

直徑159*T0.725mm載片

碳化硅雕刻

表面狀態(tài)

切割

研磨

拋光

晶體結(jié)構(gòu)

六方晶體

禁帶寬度(eV)

3.26eV

熔點（℃）

2730℃

莫氏硬度(mohs)

9.2

熱導(dǎo)率(W·cm^-1·℃^-1)

4.9W·cm^-1·℃^-1

熱膨脹系數(shù)(℃^-1)

4.7×10^-6

晶格常數(shù)(nm)

a=0.3076 c=0.5048

電子遷移率（cm^-2·V^-1·s^-1）

720^a 650^c

擊穿電場(MV·cm^-1)

3.1

JFM指數(shù)（power）

410

BFM指數(shù)(SW)

290

BHFM指數(shù)(RF)

34

折射率

2.6767～2.6480