介紹：碳化硅（SiC）外延P型是通過在SiC襯底上生長摻雜受主雜質(zhì)（如鋁或硼）的外延層實現(xiàn)的，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱性和高擊穿電場等特性。

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應(yīng)用：應(yīng)用于功率電子（高效電源轉(zhuǎn)換器、電動汽車和工業(yè)電機驅(qū)動）、高溫器件、IGBT（電動汽車和電力系統(tǒng)）、BJT（高功率放大和開關(guān)應(yīng)用）和射頻器件（5G基站和雷達(dá)）等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，特別適合高功率、高頻和高溫環(huán)境。

產(chǎn)品規(guī)格書

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