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碳化硅基氮化鎵外延HEMT
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江陰晶沐光電新材料有限公司
江蘇
面議
晶沐光電
169
介紹:碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMT)外延技術是在碳化硅(SiC)襯底上生長氮化鎵(GaN)薄膜,結合了GaN的高頻高功率性能和SiC優異的導熱性。
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應用:用于5G基站中的射頻功率放大器;雷達系統;衛星通信系統中的高功率放大器、高效電源轉換器、電動汽車充電器和工業電機驅動器;無線通信基站中的射頻前端模塊等。
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