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雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng) QBT-T

• 設(shè)備詳情：

  
  

       QBT-A 可在任意曲面，如平面、復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)、多孔基板上沉積高純度薄膜，且具有優(yōu)異的臺(tái)階覆蓋性，適用于微/納光電子器件、高品質(zhì)光學(xué)和光電子薄膜的制備；此外，通過(guò)等離子體的引入，增強(qiáng)了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，適用于對(duì)溫度敏感材料和氮化物材料上的薄膜沉積。

      原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。 

       等離子體增強(qiáng)原子層沉積 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對(duì)ALD技術(shù)的擴(kuò)展，通過(guò)等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強(qiáng)了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性，從而拓展了ALD對(duì)前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求，縮短了反應(yīng)周期的時(shí)間，同時(shí)也降低了對(duì)樣品沉積溫度的要求，可以實(shí)現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，特別適合于對(duì)溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。