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雙腔室UHV磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

QBT-P

直接聯(lián)系

廈門韞茂科技有限公司

福建

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)

參考報(bào)價(jià)：

面議

品牌：

韞茂科技

型號(hào)：

QBT-P

關(guān)注度：

2311

創(chuàng)新點(diǎn)：

廈門韞茂科技有限公司憑借在先進(jìn)材料設(shè)備業(yè)務(wù)方面多年的經(jīng)驗(yàn)，韞茂為新型芯片，半導(dǎo)體和鋰電池領(lǐng)域的新材料開發(fā)和生產(chǎn)，提供***的納米工藝設(shè)備和服務(wù)解決方案。根據(jù)您的特殊需求，我們?yōu)槟ㄖ拼蛟靹?chuàng)新納米加工平臺(tái)，保證高品質(zhì)的設(shè)計(jì)，多功能，易于使用的界面，嚴(yán)格的安全控制，以及快速的交付和服務(wù)。

產(chǎn)品介紹

雙腔室超高真空雙磁控測射系統(tǒng) QBT-P

微信圖片_20220223162253.jpg

磁控濺射技術(shù)原理

在陰極靶的表面上方形成一個(gè)正交電磁場。當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后，并不直接飛向陽極，而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運(yùn)動(dòng)。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向后者轉(zhuǎn)移能量，使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子*終沿磁力線漂移到陰極附近的輔助陽極而被吸收，避免高能電子對(duì)極板的強(qiáng)烈轟擊，消除了二級(jí)濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷，體現(xiàn)出磁控濺射中極板“低溫”的特點(diǎn)。由于外加磁場的存在，電子的復(fù)雜運(yùn)動(dòng)增加了電離率，實(shí)現(xiàn)了高速濺射。

磁控濺射技術(shù)特點(diǎn)

成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜

微信圖片_20220223162304.jpg

技術(shù)參數(shù)

QBT-P 技術(shù)參數(shù) Technical Specifications （超導(dǎo)Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制備）
超高真空腔體 UHV Chamber	2個(gè)UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 極限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr
排氣速率Pumping Spead	從ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
基板加熱 Wafer Heating	RT-900oC
離子束清洗 Ion Milling	考夫曼離子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蝕均一性<3%
磁控濺射Sputtering	DC or RF Power Supply, 基板與靶材距離連續(xù)可調(diào)Wafer and Target Space can Change Continoulsly
基板傳輸 Wafer Transfer	高度可靠和可重復(fù)的基板傳輸能力
人機(jī)界面 HMI	全自動(dòng)化人機(jī)操作界面
安全Safety	工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock，報(bào)警Alarm，EMO