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真空室結(jié)構(gòu):

圓筒形上升蓋

真空室尺寸:

φ600×500mm

極限真空度:

≤6.0E-4Pa

沉積源:

樣品尺寸，溫度:

φ240mm，1片，水冷卻

占地面積（長x寬x高）:

約3米×1.1米x2米

電控描述:

全自動

工藝:

提供標(biāo)準鍍膜工藝

特色參數(shù) :

1路工作氣路，2路備用氣路

產(chǎn)品概述：
本系統(tǒng)為單室立式結(jié)構(gòu)的高真空鍍鍍膜設(shè)備，可用于開發(fā)單層膜-類金剛石膜等。系統(tǒng)主要由鍍膜室、靶電極、射頻電源、樣品轉(zhuǎn)臺、泵抽系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、加熱控溫系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)等組成。

設(shè)備用途：
可用于開發(fā)類金剛石膜等