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采用感應加熱方式，在石英管/不銹鋼腔體內以物理氣相傳輸法（PVT）生長高純SiC晶體。

性能優勢

下進料方式，利于實現工廠自動化。

熱場旋轉，升降式線圈，用于調整溫度場。

自主研發異地網絡遠程監控操作系統，實現長晶過程的全自動控制；

分級權限，便于工藝參數管理；

遠程 控制，實現無人值守。

溫度、壓力控制的穩定性；重復定位的準確性；快速抽空及長時間真空保壓。

布局緊湊合理，整機呈框架式結構，將電控箱、加熱電源巧妙集成于一體。

電動升降上下料，托盤降至*低位置后可水平移出，電動升降爐蓋，省時省力，安全可靠。

配置兩路真空系統，高精度用于晶體生長的壓力控制，普通精度用于抽真空。