粉體行業在線展覽
粉體行業在線展覽
量產型磁控濺射設備—MSI-200
直接聯系
合肥致真精密設備有限公司
安徽
面議
致真精密
量產型磁控濺射設備—MSI-200
952
生產型磁控濺射設備是針對生產企業實驗室和產線研發的一系列高性能、高效率的磁控濺射裝備。MSI-200型磁控濺射設備采用多個真空腔室互聯的設計，通過晶圓真空傳輸平臺實現晶圓的傳輸，可搭配多個濺射室或處理腔室，適用于生產產線或實驗線。
性能參數
| 晶圓尺寸 | 8~12吋 |
| 鍍膜均勻性 | 優于±3% |
| 極限真空 | 優于5×10-9mbar（工藝室PM） 優于5×10-7mbar（傳輸室TM） 優于5×10-6mbar（進樣室Load lock） |
| 樣品臺溫控 | RT-800℃，可選RT-1200℃ |
| 工藝室 | 預清洗室、濺射室、退火室、低溫室、蒸發室、氧化室等 |
| 傳輸室 | 可選四邊形、六邊形或八邊形腔室，可實現多個傳輸室互聯，配置雙臂或單臂機械臂，配置校準和測量裝置 |
| 進樣室 | 8或12吋晶圓，可選EFEM等前端模塊 |
| 濺射室陰極數量 | 6-12個4inch陰極 |
| 沉積精度 | 0.1nm |
| 詳細配置可咨詢業務人員 |
客戶案例1
客戶制備： Sub/Ta/Mo/MgO/CoFeB/Mo/CoFeB/MgO/Mo多層薄膜
磁性金屬/金屬/磁性金屬構成反鐵磁耦合結構的表征圖
客戶案例2
客戶通過沉積Ti膜測試8inch晶圓均勻性，分別在圓心、4 inch、6 inch和8 inch處分別置放10cm*10cm硅片，獲得七個位置的薄膜厚度，其中**結果不均勻性達1.9%，獲得客戶好評。
（4英寸陰極濺射8英寸晶圓，平均薄膜厚度為49nm左右，均勻性1.9%，該指標為目前國際**水平）
均勻性測試表征圖
觀察窗擋板
傾斜式高溫樣品臺
蒸發源
圓形互聯設備（外置機械臂、內置機械臂）
兩個鍍膜系統直接互聯設備
超高真空管道傳輸設備
晶圓真空傳輸平臺—VTM
量產型磁控濺射設備—MSI-200
生產型磁控濺射設備—MSI-100-UHV
生產型磁控濺射設備—MSI-100-HV
量產級多功能薄膜沉積設備
分子束外延設備—MBE-400
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學氣相沉積系統-PECVD
定制-電漿輔助化學氣相沉積系統-詳情15345079037
HSE系列等離子刻蝕機
