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生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-UHV
面議
致真精密
生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-UHV
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生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備是針對(duì)企業(yè)和高校實(shí)驗(yàn)室及小試線研發(fā)的高性能、高效率的磁控濺射裝備,該超高真空版本提供更高的濺射室真空度,兼具高性能薄膜的制備和小批量量產(chǎn)的需求。MSI-100-UHV型磁控濺射設(shè)備極限真空度優(yōu)于1×10-8mbar,包括進(jìn)樣室和濺射室,可滿足8inch晶圓上高精度納米級(jí)材料的生產(chǎn)制備需求。
性能參數(shù)
晶圓尺寸 | 8inch向下兼容 |
鍍膜均勻性 | 優(yōu)于±3% |
極限真空 | 優(yōu)于1×10-8mbar |
進(jìn)樣室 | 自動(dòng)傳輸,可選裝載數(shù)量,可選機(jī)械臂抓手形狀,獨(dú)立真空系統(tǒng) |
樣品臺(tái)溫控 | 輻射加熱,RT-800℃ |
陰極數(shù)量 | 4個(gè)4inch |
電源 | DC、RF、DC Pulse |
占地面積 | 3m L*2m W*2m H |
可選 | 濺射角度、濺射方向、低溫泵、反應(yīng)濺射、膜厚儀、工藝菜單等 |
六大特色 懂你所需
企業(yè)/高校性能之選
測(cè)試案列
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,高校實(shí)驗(yàn)室和企業(yè)對(duì)于具有高性能、低成本、高效率等優(yōu)點(diǎn)的磁控濺射裝備有著巨大需求。其中設(shè)備需要滿足在8inch晶圓上制備薄膜的均勻性。
如圖是8寸晶圓上鍍鈦膜均勻性測(cè)試。
(沉積條件:4寸靶傾斜沉積8寸晶圓,采用直接濺射或增大靶材磁村可提高至2%以內(nèi))
8寸晶圓
將750μm的單拋晶圓裂片成1cm×1cm的小樣,取九片,去邊1cm沿八寸晶圓直徑固定好,進(jìn)行磁控濺射鍍鈦膜,如下圖所示。測(cè)試發(fā)現(xiàn)晶圓片內(nèi)均勻性<3%。
均勻性測(cè)試結(jié)果
觀察窗擋板
傾斜式高溫樣品臺(tái)
蒸發(fā)源
圓形互聯(lián)設(shè)備(外置機(jī)械臂、內(nèi)置機(jī)械臂)
兩個(gè)鍍膜系統(tǒng)直接互聯(lián)設(shè)備
超高真空管道傳輸設(shè)備
晶圓真空傳輸平臺(tái)—VTM
量產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-200
生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-UHV
生產(chǎn)型磁控濺射設(shè)備—MSI-100-HV
量產(chǎn)級(jí)多功能薄膜沉積設(shè)備
分子束外延設(shè)備—MBE-400
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CVD
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
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Pentagon Qlll
等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-PECVD
定制-電漿輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-詳情15345079037
HSE系列等離子刻蝕機(jī)