粉體行業在線展覽
氮化鎵(GaN)MOCVD系統
面議
上海翱晶
氮化鎵(GaN)MOCVD系統
711
GaN 6寸/8寸外延爐
EPIREVO G8是日本株式會社東芝的子公司紐富萊(NuFlare)的主要產品之一。
EPIREVO G8通過在在200㎜Si襯底上高質量的高速成膜,
從而降低功率器件和RF器件成本的MOCVD裝置,為實現低碳社會做出貢獻。
高生產性
GaN膜能夠達到9μm/hour以上的高速生長
能夠達到200℃/minute以上的高速升溫
高品質
200mm晶片面內2度以內的**溫度分布
低成本
TMG可以達到20%以上的高利用率
In-Situ清潔功能帶來的高生產效率
XRD-晶向定位
CVD 真空化學氣相沉積設備
等離子體增強化學氣相沉積系統CVD
自動劃片機
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
等離子化學氣相沉積系統-PECVD
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HSE系列等離子刻蝕機